RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
62
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
2,391.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
6400
Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
48
62
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
4,489.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
2,391.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
6400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
780
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP5189-2180-ELC 2GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link