RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2663
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link