RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
48
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3201
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link