RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
48
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2284
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link