RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
52
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
52
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2260
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link