RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
86
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
86
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1658
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link