RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2317
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link