RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3367
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link