RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
67
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
67
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1895
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link