RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
47
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2988
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link