RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
47
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2722
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link