RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3516
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link