RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2834
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link