RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3116
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link