RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2797
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link