RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3927
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link