RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
60
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
39
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2808
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link