RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
60
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
39
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2808
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link