RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
60
Intorno -54% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
39
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
2808
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link