RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3860
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link