RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2155
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link