RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
47
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
4142
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link