RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
61
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2782
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link