RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,077.3
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
61
Около -56% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
2782
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link