RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3736
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link