RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
47
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3736
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link