RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3998
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link