RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Porównaj
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
121
Wokół strony -348% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
2.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
121
27
Prędkość odczytu, GB/s
2.5
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
2.2
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
425
1444
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link