RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
47
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2429
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link