RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
47
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2898
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link