RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
374
Wokół strony 87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
1.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
374
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
0.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
1.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
269
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link