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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
374
左右 87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
0.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.9
1.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
374
读取速度,GB/s
9.3
0.8
写入速度,GB/s
5.9
1.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
269
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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