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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
11.8
15.7
写入速度,GB/s
8.0
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2388
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
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