RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3093
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link