RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3963
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link