RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3963
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link