RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2511
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link