RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3886
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link