RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3158
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link