RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3364
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link