RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
4142
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link