RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3052
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link