RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3959
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link