RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3246
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link