RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3631
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link