RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3148
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link