RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3628
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8000CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link