RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2349
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ?????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link