RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
81
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
81
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
1651
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link