RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
41
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2016
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link