RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2633
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link