RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3447
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-D8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link